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无铅钙钛矿LED首破900小时寿命

远方光电发布时间:2026-09-04

2a0f6bb8-636e-48ed-aef8-2798f7d9f7e3.png钙钛矿LED的效率数字年年刷新,但一个尴尬的事实始终没变:实验室里跑数据用的是含铅配方,产业界却不敢碰。铅有毒,这是常识。可一旦把铅换成更环保的锡,器件就陷入了一个死循环——亮不了几分钟,亮度断崖式下跌,直至完全熄灭。过去十年,全球团队试过抗氧化剂、试过表面配体、试过严密封装,问题始终根治不了。

厦门大学和复旦大学的一支联合团队最近做了一件不一样的事:他们没有继续改良材料合成工艺,而是把显微镜对准了器件通电运行的那一刻。答案出乎意料——真正杀死锡基钙钛矿LED的,不是空气中的氧气,而是器件自己内部的电荷失衡。

电流里的隐形杀手
锡基钙钛矿的化学式看起来很简单:CsSnI₃。锡离子Sn²⁺是它的发光核心,也是它的致命弱点。长期以来,研究者普遍认为Sn²⁺容易被环境中的氧气氧化成Sn⁴⁺,导致晶格坍塌。但这个团队发现,即便在无水无氧的惰性环境中,器件照样快速衰减。

问题出在电流本身。CsSnI₃是一种天然p型半导体,空穴迁移率远高于电子。当LED通电工作时,大量正电荷在钙钛矿层中过度堆积,直接触发了Sn²⁺的电化学氧化。更糟的是,氧化后的晶体并非简单失活,而是不可逆地转变为另一种晶体结构Cs₂SnI₆——就像铁在潮湿环境中慢慢锈蚀,只不过这里的"锈蚀"是由内部电荷驱动的。伴随相变的是大量针孔和空位的产生,这些缺陷像能量黑洞一样,把本该用于发光的电能转化为热量白白耗散。

团队用原位微区PL成像捕捉到了这一过程:器件运行时,薄膜中的针孔在数分钟内迅速增殖;XPS数据显示,Sn²⁺与Sn⁴⁺的峰面积比在12分钟内从1.74骤降至0.08。XRD图谱进一步证实,黑相CsSnI₃正在向非发光的Cs₂SnI₆双钙钛矿转变。 culprit找到了——过量空穴注入引发了一场器件内部的"电化学锈蚀"。

"内稳外护"的协同处方
找到病因后,团队开出了一张组合药方:内部强化骨架,外部修补表面。
内部策略是FA⁺掺杂。甲酰胺离子FA⁺部分取代Cs⁺进入钙钛矿晶格A位,DFT计算显示这显著降低了形成能,意味着晶体结构更加稳固。高分辨透射电镜观察到晶格间距从6.37 Å膨胀至6.39 Å,证实了FA⁺的均匀掺入。更关键的是,差分电子密度分析发现FA⁺与SnI₆八面体之间形成了强氢键相互作用,这层额外的"绑带"让晶格在电场作用下也能保持完整。实验对比令人印象深刻:纯CsSnI₃薄膜在电场下不到5分钟即失去发光信号,而FA⁺掺杂薄膜在40分钟后仍保持稳定,且XRD未见任何相变迹象。

外部策略是TPPO表面钝化。即便体相结构稳固,表面未配位的Sn²⁺仍是陷阱态的来源。三苯基氧膦TPPO中的P=O基团能与表面欠配位Sn²⁺精准配位,像给裸露的金属表面涂上一层防锈漆。这一处理将薄膜的PLQY从31.1%进一步提升至46.4%,同时改善了电子迁移率,让空穴与电子的注入趋于平衡——而这正是抑制相变的根本。

如果把钙钛矿晶体比作一座老房子,FA⁺掺杂等于加固了承重墙,TPPO钝化则等于修补了外墙裂缝并装上了防潮层。单独做哪一项都有局限,双管齐下才能真正住得安稳。

跨越式提升
最终的数据给出了回应。 在0.99英寸的有源面板上,器件实现了1472 × 1104的分辨率,总像素超过162万。峰值亮度达到20,282 cd/m²,而亮度均匀性站稳90.12%——这不是单个点的侥幸,在0.25–0.5 A·cm⁻²的常用工作区间内,均匀性始终维持在约90%。视角超过120°,像素良率达93.24%,最大外量子效率7.68%。与此前文献中50%–60%的均匀性相比,这是一次跨越式的提升。

从"几分钟"到"几百天"
基于上述策略制备的器件,性能提升是全方位的。
在963 nm近红外波段,器件实现了21.2%的峰值外量子效率,第三方认证值为20.6%。40个器件的统计平均EQE达到20.2±0.5%,表明工艺具备良好的可重复性。最大辐亮度达到195.8 W·sr⁻¹·m⁻²,在高达100 W·sr⁻¹·m⁻²的辐亮度下EQE仍能保持在18%以上,效率滚降得到明显抑制。

稳定性方面的进步更为惊人。在初始辐亮度约7.1 W·sr⁻¹·m⁻²条件下,器件工作半衰期T₅₀达到920.5小时——这是锡基钙钛矿LED迄今报道的最长寿命。依据加速寿命模型外推,在更低辐亮度下寿命可延伸至7668小时(约320天),在0.18 W·sr⁻¹·m⁻²条件下甚至可达约48年。

作为对照,原始CsSnI₃器件在同等条件下的T₅₀仅有0.87小时。从不到1小时到超过900小时,这不是渐进改良,而是跨越数量级的跃迁。

不只环保,更是范式转换
这项工作之所以值得关注,不仅因为它让无铅钙钛矿LED第一次真正具备了实用价值。更深层的意义在于,它揭示了一个被长期忽视的研究盲区——器件工作状态下的动态化学演化。

过去十年,锡基钙钛矿的研究重心一直放在材料合成和薄膜制备上,而对电场作用下钙钛矿的化学与光学行为缺乏系统关注。这个团队花了两年多时间厘清"过量空穴→电化学氧化→相变→失效"的完整因果链,证明器件层面的电荷管理可能比材料层面的抗氧化更为关键。这一认知转变,为整个无铅钙钛矿光电器件领域提供了一条"治本"而非"治标"的研究路径。

近红外光源在夜视成像、光通信、生物医学检测和智能驾驶等领域需求旺盛。一种高效、稳定、无铅、可溶液加工的发光材料,意味着这些应用场景有望摆脱重金属依赖。环保与性能,终于不再是二选一。



参考来源:
标题:High-efficiency and stable lead-free tin-based perovskite light-emitting diodes via carrier management
期刊:Science, Vol. 393, Issue 6814, pp. 882-887
网址:https://www.science.org/doi/10.1126/science.aeg8955

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